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存儲技術(shù)的革命性突破我國首款相變存儲器芯片研制成功

更新時間:2018-03-19 12:28:43 來源：m.durdah.com 編輯：本站編輯　已被瀏覽 次 查看評論
張家界旅游網(wǎng) 公眾微信號 新華社上海4月17日電（沈從樂 羅爭光）記者17日從中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所獲悉，我國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器（PCRAM）芯片研制成功，打破了存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)長期被國外壟斷的局面，產(chǎn)業(yè)化前景可觀。
　　據(jù)專家介紹，相比于傳統(tǒng)存儲器利用電荷形式進(jìn)行存儲，相變存儲器主要利用可逆相變材料晶態(tài)和非晶態(tài)的導(dǎo)電性差異實現(xiàn)存儲，被稱為是“操縱原子排列而實現(xiàn)存儲”的新型存儲器。
　　中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員、PCRAM研究項目負(fù)責(zé)人宋志棠表示，PCRAM相變存儲器不僅綜合了目前半導(dǎo)體存儲器市場上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲器的優(yōu)良特性，而且還具有微縮性能優(yōu)越、非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、數(shù)據(jù)穩(wěn)定性強(qiáng)、功耗低等諸多優(yōu)勢，被認(rèn)為是下一代非揮發(fā)存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。
　　目前，英特爾、美光、三星等國際知名半導(dǎo)體公司均在PCRAM產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中取得有效進(jìn)展，其中美光有多款替代NOR　FLASH的產(chǎn)品，三星已研制出最大容量為512Mb的PCRAM試驗芯片，并投入量產(chǎn)，在手機(jī)存儲卡中開始應(yīng)用。
　　上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所已制成的PCRAM試驗芯片存儲容量為8Mb，在8英寸硅片上的每一塊存儲芯片，存儲單元成品率達(dá)99%以上。經(jīng)語音演示，已證實該芯片可實現(xiàn)讀、寫、擦的存儲器全部功能。截至2010年底，該款PCRAM相變存儲器已經(jīng)獲得50多項發(fā)明專利授權(quán)，150多項專利公開，相關(guān)專利分布涵蓋從材料、結(jié)構(gòu)工藝、設(shè)計到測試的芯片生產(chǎn)全部流程。專家表示，此款PCRAM芯片將可取代NOR　FLASH等傳統(tǒng)存儲器，廣泛應(yīng)用于手機(jī)存儲、射頻識別等多種消費(fèi)型電子產(chǎn)品中。
　　宋志棠介紹說，我國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模目前已接近1800億元，但由于長期缺乏具有自主知識產(chǎn)權(quán)的制造技術(shù)，國內(nèi)存儲器生產(chǎn)成本極為高昂?！癙CRAM相變存儲器自主研制成功，使我國的存儲器芯片生產(chǎn)真正擺脫國外的技術(shù)壟斷。”他表示，該款PCRAM相變存儲器預(yù)計將于今年年內(nèi)投入量產(chǎn)，“我們計劃在10年內(nèi)，將中國的存儲器自給率提高到60%。” 張家界旅游網(wǎng)

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